Hitachi kehittää uutta muistia
0
Hitachin tutkimusryhmä on yhdessä Cambridgen yliopiston tutkijoiden kanssa kehitellyt täysin uudentyyppistä muistisirua, joka voisi korvata sekä DRAM- että Flash-muistit. PLEDM-lyhenteellä (Phase-state Low Electron Drive Memory) kulkeva muistipiiri tarjoaa DRAM-piireihin verrattuna pienemmän virrankulutuksen, paremman luku- ja kirjoitusnopeuden sekä skaalautuvuuden. Tutkijat ovat myös ennustaneet, että samalla rakenteella voitaisiin luoda myös Flash-muistit korvaava piiri. Tätä ei kuitenkaan ole vielä saatu toteutettua ja koko piirin kehitystyöhön menneekin vielä joitakin vuoisia. Kun teoria ja käytäntö saadaan toimimaan yhteen, on piirillä mahdollisuuksia menestyä. Yksittäisen muistisolun kirjoitusaika on vain 10 nanosekuntia ja se skaalautuu siten, että koko piirin kirjoitus kestää ainoastaan 100 nanosekuntia. Sen kerrosmainen rakenne mahdollistaa myös erittäin suurikapasiteettisten, jopa useampien gigabittien kokoisten muistipiirien tekemisen.
