Intel hillitsee virtavuotoja
0
Intel kertoo saavuttaneensa rajapyykin kehittäessään uuden sukupolven sirunvalmistusteknologiaa. Yhtiö on valmistanut täysin toimivan 70 megabittisen sram-muistisirun, jossa on yli puoli miljardia transistoria.
Valmistuksessa on käytetty 65 nanometrin tuotantoteknologiaa. Nanometri on metrin miljardisosa. Transistoreissa on 35 nanometrin kokoisia portteja (kytkin, joka laittaa transistorin päälle ja pois), jotka ovat 30 prosenttia pienempiä kuin 90 nanometrin teknologiassa, Intel huomioi. Noin sata tällaista porttia mahtuisi ihmisen verisolun läpimittaan.
Ensi vuonna käyttöön otettavan teknologian myötä pikkuruisten transistoreiden määrä tuplaantuu, mikä luo pohjan tuleville moniytimisille prosessoreille, virtualisoinnille ja tietoturvaominaisuuksille.
Kun transistorit pienenevät, ongelmaksi muodostuvat energiahukka ja kuumeneminen, mistä Intelilläkin on kokemuksia. Yhtiö kuitenkin aikoo tuoda 65 nanometrin teknologiaan ominaisuuksia, jotka eivät kuluta niin paljon virtaa.
Aiemmin 90 nanometrin transistoreihin kuulunut pingotetun piin teknologia on nyt ulotettu myös 65 nanometriin. Intelin mukaan transistorin suorituskyky paranee 10–15 prosenttia ilman että virtavuodot lisääntyisivät. Transistorit voivat päinvastoin vähentää vuotoja nelinkertaisesti verrattuna 90 nanometriin, yhtiö korostaa.
Toinen ominaisuus on "nukkuvat" transistorit. Ne sulkevat virrankulun isoille alueille sramia, kun niitä ei käytetä, mikä vähentää virrankulutusta sirulla. Tämä ominaisuus on hyödyllinen eritoten sylimikroissa. (Itviikko)
