Kymmeneen gigahertsiin vuonna 2007
0
Puolijohdealan ITRS-teknologiaraportti (International Technology Roadmap for Semiconductors) on jälleen saatettu ajan tasalla. Suuria muutoksia ei aiempiin raportteihin tehty, vaan Mooren laki jatkaa edelleen hyvissä voimissa digitaalipiirien kehityksen mittarina.
ITRS-raportti yltää vuoteen 2018 asti. Mikäli raportin ennustukset toteutuvat, tulevat esimerkiksi mikroprosessorit kiihtymään kovaa vauhtia. Jos suorittimet tämän hetken 90 nanometrin prosessilla kiihdyttävät noin neljään gigahertsiin, puhutaan vuosina 2007–2008 jo kymmenen gigahertsin nopeuksista. Tuotantoprosessi on tihentynyt 65 nanometriin.
Eikä kymmenen gigahertsiä ole kummoinenkaan haamuraja tuleville mikroprosessoreille. ITRS-raportissa ennustetaan, että vuonna 2010 suorittimet kiihtyvät 45 nanometrin prosessilla valmistettuna jo yli 15 gigahertsiin ja vuonna 2013 puolestaan 23 gigahertsin nopeuteen. Tuolloin sirukuvioita piirretään piille 32 nanometrin laserilla.
Vuonna 2016 lähennellään 40 gigahertsiä
Vuosi 2016 on vielä ikuisuuden päässä, mutta ITRS-raportissa ennustetaan, että silloin mikroprosessorit valmistetaan 22 nanometrin prosessilla ja kellotaajuus lähentelee jo 40 gigahertsiä.
Mikropiirien koko tulee säilymään hämmästyttävän lähellä nykyistä. Viivanleveyksien oheneminen kuitenkin puristaa yhä enemmän transistoreja yhä pienempään tilaan. Kehitys käy hyvin ilmi esimerkiksi dram-tiheyden kasvamisesta.
Tänä vuonna yhdelle neliösentille tungetaan 90 nanometrin prosessilla lähes yhden gigabitin verran dram-muistia. Vuonna 2007 tiheys kasvaa 65 nanometrin prosessilla 2,22 gigabittiin ja vuonna 2010 seuraavan sukupolven eli 65 nanometrin prosessilla lähes 5,2 gigabittiin neliösentillä. 22 nanometrin prosessilla vuonna 2016 dram-muistia ahdetaan jo 25 gigabittiä yhdelle neliösentille. (Prosessori)
