Kiintolevyn virrankulutus putoaa 95 prosenttia
0
Samsung on kehittänyt ensimmäisen nand-flash-tekniikkaan pohjautuvan kiintolevyjen korvaajaksi. Ratkaisu perustuu 8-gigabittisiin siruihin, joilla saadaan toteutettua 16 gigatavun haihtumaton "kiintolevy".
Flash-muisteilla on monia etuja mekaanisiin, optiseen tallennukseen perustuviin perinteisiin kiintolevyihin verrattuna. Virrankulutus putoaa murto-osaan, paino alle puoleen ja kiintolevyjen tyypillinen pyörimisestä aiheutuva hurina olemattomiin.
Akkukesto paranee 10 prosentilla
Samsungin mukaan nand-pohjaisen kiintolevyn virrankulutus on noin viisi prosenttia perinteisen kiintolevyn lukemista. Tämä yksin kasvattaa esimerkiksi sylimikron toiminta-aikaa akuilla noin 10 prosenttia, yhtiö kehuu.
Nand-kiintolevyn suorituskyky on myös erinomainen, sillä muistista voidaan lukea dataa 57 megatavun nopeudella sekunnissa. Nopeus on yli 150 prosenttia parempi kuin vastaavissa perinteisissä kiintolevyissä. Datankirjoitus nand-levyille onnistuu 32 megatavun sekuntinopeudella.
Valikoimassa kaikki kiintolevyformaatit
Sähköisesti nand-levyissä on vanhan kiintolevyliitännän kaltainen liitäntä. Lisäksi Samsung on suunnitellut nand-levyt siten, että ne näyttävät ulkoisesti perinteisiltä kiintolevyiltä. Valikoima kattaa kaikki käytetyt kiintolevyformaatit: 2,5-tuumaisen levyn kapasiteetti on 8 tai 16 gigatavua, samoin 1,8-tuumaisten levyjen.
Ensimmäisenä tarjolle tulee 1,8-tuumainen nand-kiintolevy elokuussa. Se on tarkoitettu ultrakevyisiin kannettaviin tietokoneisiin sekä tablettimikroihin. (Prosessori)
