Tiheä flash 70 nanometrillä
0
Tekninen kehitys on nyt hyvin nopeaa nand-flasheissa, kun yritykset yrittävät haalia lisää osuuksia kasvavilla markkinoilla. Toshiba ja Sandisk ovat Samsungin perässä toteuttaneet kahdeksan gigabitin nand-sirun.
Uutuuspiiri on toteutettu 70 nanometrin prosessilla. Tiheämmän viivan tehoa kuvaa se, että piirin vaatima piiala on vain viitisen prosenttia suurempi kuin 90 nanometrin prosessilla toteutettu neljän gigabitin nand-piiri.
Siru vie piillä tilaa 146 neliömilliä. Neliösentille 70 nanometrin flash-prosessilla sopii kolme miljoonaa transistoreja. Bittejä samaan tilaan sopii kuusi miljoonaa. Piirin avulla on mahdollista toteuttaa yhden gigatavun muisteja yhden ainoan piirin pohjalta.
Puhtipiiri
Toshiban ja Sandiskin uutuus on myös hyvin suorituskykyinen flash-piiri. Datan lukeminen onnistuu 60 megatavun sekuntinopeudella eli 40 prosenttia nopeammin kuin aikaisemmassa neljägigaisessa piirissä. Datan kirjoitus tapahtuu kuuden megatavun sekuntinopeudella.
Toshiba ja Sandisk aikovat jo ensi kesän aikana tuoda tarjolle uuteen 8-gigabittiseen siruun pohjautuvia flash-muistikortteja. Vuonna 2006 piiristä tulee korttituotannon tärkein komponentti. Yhtiöt kehittävät sirusta jo 16 gigabitin versiota, jossa olisi pinottu päällekkäin kaksi kahdeksan gigabitin piiriä. (Prosessori)
