Flash-muistien tiheyskilpa kiihtyy
0
Nand-flash-muistien markkinat ovat yksi puolijohdehistorian nopeimmin kasvavia alueita ja sirujenvalmistajat kisaavatkin suureen ääneen siitä, kenen uutuuspiiri on tihein ja kaunein. Kanadalainen tutkimusyritys Semiconductor Insights on julistanut Toshiban piirin tämän hetken tiheimmäksi.
Voimakasta kasvua selittää se, että nand-flash-muistipiirejä käytetään muun muassa muistikorteissa, mp3-soittimissa ja kännyköissä.
Tutkimuslaitos on purkanut ja analysoinut Toshiban uusimman, 70 nanometrin prosessilla valmistetun nand-piirin sekä Intel-Micronin IM Flash Technologiesin näytetoimituksiin ehtineen sirun, jonka valmistuksessa käytetään 50 nanometrin prosessia.
Intel-Micronin piiri perustuu perinteiseen rakenteeseen, jossa yhteen soluun tallennetaan yksi bitti. Näin muistitiheys on 41,8 megabittiä neliömillillä. Toshiban uutuus sen sijaan perustuu mlc-rakenteeseen (multilevel cell), jolla neliömillille saadaan sopimaan 56,5 megabittiä.
Samsung on markkinajohtaja
Markkinajohtaja Samsungin 65 nanometrin prosessilla valmistettu neljän gigabitin uutuussiru pääsee puolestaan 31,3 megabitin tiheyteen neliömillillä. Sekin perustuu rakenteeseen, jossa yhteen soluun tallennetaan yksi bitti. Intel-Micronin 50 nanometrin piiri ahtaa saman kapasiteetin kolmanneksen pienemmälle piialalle.
Nand-flashien markkinat kasvavat edelleen kovaa vauhtia. Esimerkiksi Semicon Research ennustaa myynnin kasvavan viime vuoden 11 miljardista dollarista 16 miljardiin dollariin eli vuodessa kasvussa tulee huimat 44 prosenttia.
Kasvuun päästään siitä huolimatta, että piirien hinnat laskevat ennennäkemätöntä vauhtia. Esimerkiksi tämän vuoden ensimmäisellä neljänneksellä yhden nand-gigabitin hinta putosi 2,17 dollariin eli 50 prosenttia vuoden alun tasosta. (Prosessori)
