Intel kaventaa flash-sirujen viivanleveyttä
0
Intel kertoo tuovansa ensimmäisenä yhtiönä markkinoille nor-flash-muistisirut, jotka ovat mlc-rakenteisia (multi-level cell) ja jotka valmistetaan kehittyneellä 65 nanometrin (nm) valmistustekniikalla. Matka- ja älypuhelinvalmistajat hyötyvät flash-arkkitehtuurista, joka yksinkertaistaa siirtymistä 90 nm:n teknologiasta 65 nanometriin.
"Tällä tarjonnalla Intel on eturintamassa tuomassa alan edistyneimmät nor-flash-muistit valtavirtaa edustavalle puhelinmarkkinasegmentille", flash-muistiryhmän johtaja Brian Harrison kehuu.
Hän lupaa, että 65 nanometrin prosessiteknologia parantaa flashin suorituskykyä ja mahdollistaa sellaiset
seuraavan sukupolven puhelimet, jotka tuovat kuluttajille uusia ja aiempaa parempia ominaisuuksia.
Ensimmäiset näytteet asiakkaille lähtevät toisen neljänneksen loppupuolella eli lähempänä kesäkuuta. Intelin ensimmäiset, 65 nanometrin prosessilla tuotetut prosessorit valmistettiin vuoden 2005 toisella neljänneksellä.
Tällä hetkellä yhtiö tuo markkinoille sylimikro-, pöytäkone-, palvelin- ja sulautettuja suorittimia.
Yksi nanometri on metrin miljardisosa. Flash-muistisiruja käytetään matka- ja älypuhelimissa, joissa ne pitävät huolen puhelimen kriittisistä toiminnoista ja henkilökohtaisesta datasta sekä esimerkiksi valokuvien, musiikin ja videoiden tallentamisesta.
