Intelille läpimurto 45 nanometrin prosessoreissa
0
Intel kertoo, että se on pystynyt ilmeisesti ensimmäisenä maailmassa valmistamaan muistipiirejä 45 nanometrin tekniikalla. Ensi vuodelle on siis tiedossa pienempiä, tehokkaampia ja vähävirtaisempia pc-prosessoreja, sillä nykyisin parhaat suorittimet tehdään 65 nanometrin viivanleveydellä.
Intelin läpimurto liittyy sram-muistipiireihin (static random access memory), joita yhtiön onnistui valmistamaan uudella 45 nanometrin puolijohteiden valmistusprosessilla. Tässä viitataan sirujen keskimääräiseen komponenttikokoon, joka siis pienenee merkittävästi aikaisemmasta. 45 nanometrin prosessilla tuotetussa sram-sirussa on yli miljardi transistoria.
Uuteen tekniikkaan sarjatuotannossa ensi vuonna
Etapin saavuttaminen tarkoittaa Intelin mukaan sitä, että yhtiö pystyy valmistamaan siruja tällä teknologialla ja 300 millimetrin piikiekoilla vuonna 2007. Muut valmistajat, kuten AMD ja IBM aikovat ilmeisesti myös siirtyä 45 nanometriin niin pian kuin mahdollista. Intel on suuren kokonsa ja tuotekehitysmahdollisuuksiensa vuoksi ollut usein hieman muita nopeampi.
Uudella teknologialla voidaan valmistaa siruja, joissa olisi yhtiön mukaan viisi kertaa vähemmän virtavuotoja kuin tämän päivän siruissa. Toisin sanoen kuumeneminen pienenee, virrankulutus vähenee, ja kannettaviin tietokoneisiin saadaan lisää akkukestoa. On myös mahdollista valmistaa entistä tehokkaampia laitteita pienemmässä koossa.
Tällä hetkellä Intel on suurin puolijohteiden valmistaja 65 nanometrin tekniikalla. Yrityksellä on kaksi tällaista tuotantolaitosta Arizonassa ja Oregonissa sekä kaksi uutta valmistumassa tänä vuonna Oregoniin ja Irlantiin.
Oregonin tehtaan lisäksi Intel valmistaa tulevaisuudessa siruja 45 nanometrin prosessilla myöhemmin valmistuvissa Fab 32:ssa Arizonassa ja Fab 28:ssa Israelissa.
