Samsung uudisti 3d-muistipiirin
0
Samsung on kehittänyt uuden tekniikan pinottujen 3d-muistipiirien toteutukseen. Uusi wsp-tekniikka (wafer-level processed stack package) mahdollistaa entistä tiheämmät ja nopeammat sip-muistisirut.
Wsp-tekniikassa on kyse uudenlaisesta rakenteesta, jossa signaaliliitännät voidaan viedä piin läpi pinotusta sirusta toiseen. Samsungin mukaan tekniikkaa voidaan hyödyntää kaikkien hybridi-muistiratkaisujen toteutukseen.
Ensimmäinen wsp-piiri on 16 gigabitin piiri, jossa päällekkäin on pinottu kahdeksan kahden gigabitin nand-sirua. Wsp-rakenteen avulla protokotelon paksuus on saatu 0,56 millimetriin. Itse nand-piirien paksuus on 50 mikronia.
Wsp-rakenne on täysin erilainen kuin tämän hetken tarjolle olevissa sip-ratkaisuissa. Niissä sirujen välillä täytyy olla kymmenien mikronien raot, jotta liitännät voidaan bondata sirujen välille. Myös vaakasuunnassa sirujen ja kotelon välille tarvitaan satojen mikronien paksuinen tila johdotuksia varten.
30 prosenttia lisää nopeutta
Lyhyemmät liitännät piirien välillä merkitsevät myös parempaa suorituskykyä. Samsungin mukaan wsp-hybridillä signaalit kulkevat noin 30 prosenttia nopeammin kuin perinteisissä sip-rakenteissa.
Samsung aikoo tuoda wsp-tekniikan kulutuselektroniikan nand-pohjaisten muistikorttien piireihin jo ensi vuoden alkupuolella. Myöhemmin rakennetta aiotaan soveltaa myös dram-pohjaisiin pinotuihin muisteihin, joille löytyy käyttöä esimerkiksi tehopalvelimista. (Prosessori)
