Samsungin dram tiheni 50 nanometriin
0
Samsung ilmoittaa kehittäneensä ensimmäisen 50 nanometrin prosessilla valmistetun dram-muistipiirin. Aiempaan 60 nanometrin prosessiin verrattuna sirujen tuotantotehokkuus kasvaa taas selvästi, sillä yhdeltä kiekolta saadaan 50 nanometrin siruja peräti 55 prosenttia enemmän.
Ensimmäinen 50 nanometrin prosessilla valmistettu dram-piiri on yhden gigabitin siru. Sen valmistuksessa on käytetty monia uusimpia sirutekniikoita, kuten kolmiulotteista transistorirakennetta ja monikerroksisista eristetekniikkaa, joiden avulla on parannettu sekä suorituskyky- että datantallennusominaisuuksia.
Samsungin mukaan kolmiulotteissa transistorissa on leveämpi kanava elektroneille kuin perinteisessä rakenteessa. Tämän ansiosta elektronit liikkuvat piirissä nopeammin, mikä paitsi kasvattaa tallennus- ja lukunopeutta, myöskin pienentää rakenteen tehonkulutusta.
Samsungin mukaan uusi 50 nanometrin prosessi käy hyvin moniin dram-piireihin grafiikkamuisteista mobiilisiruihin. Volyymituotannon uudella prosessilla pitäisi alkaa vuonna 2008.
Dram-piirien markkinoiden on arveltu kasvavan 55 miljardiin dollariin vuonna 2010. (Prosessori)
