Tiheämpää flashia ja nopeaa sulautettavaa dramia
0
IBM:n on valmistama kahden megabitin protopiiri.
San Franciscon IEDM-konferensissa esitellään useita uusia piiritekniikoita. Varsinkin flash- ja sulautetun dramin tekniikoissa esillä on mielenkiintoisia uutuuksia. Muistisolut ahdetaan jatkossa yhä pienempään tilaan.
IBM esittelee IEDM:ssä 65 nanometrin soi-pohjaisella prosessilla valmistettua sulautettavaa dram-tekniikkaa, jonka yhtiö uskoo korvaavan sram-työmuistit tietokoneissa. Tähän saakka edram-tekniikan ongelmana on ollut hitaus: sram on ollut jopa 10 kertaa nopeampi tekniikka.
IBM:n protossa dram-solun koko on 0,127 neliömikronia. Hakuaika on saatu puristettua 1,5 nanosekuntiin eli lähelle sram-tasoa. Koska edram-rakenne skaalautuu alaspäin hyvin, sen käyttö ei heikennä prosessorin logiikkaa.
Flash-piireissä Samsung esittelee tanos-yhdisteeseen perustuvaa nand-rakennetta, jossa muistisolun koko on 40 nanometrin prosessilla saatu kutistumaan 0,0098 neliömikroniin. 32 gigabitin piirin valmistuksessa on käytetty immersiolitografiaa eli kuviot piille piirretään vesilinssien läpi.
Macronix esittelee puolestaan ohutkalvotekniikalla valmistettua nand-piiriä. (Prosessori)
