Huippunopea RRAM korvaa flashit
2
Resistiivinen RAM on yksi niistä uusista muistitekniikoista, joiden uskotaan korvaavan flash-piirit haihtumattomien muistien tekniikkana. Sharp on nyt päässyt eteenpäin kehitystyössä, jonka päässä siintää jopa sata kertaa nykyisiä flasheja nopeampi muisti.
RRAM-muisteja ovat Sharpin lisäksi kehittäneet muutamat muutkin puolijohdetalot sekä esimerkiksi Houstonin yliopisto Yhdysvalloissa. Sharpin tutkimuskumppanina on Japanin hallituksen alainen tutkimusinstituutti (National Instutute of Advanced Industrial Science and Technology).
Projektissa NIAIST-instituutti on keskittynyt resistorikomponentteihin, joihin data tallennetaan. Sharpin vastuulla on ollut kehittää tekniikoita, joiden avulla resistanssin määrää sirurakenteessa voitaisiin hallita.
Tähän asti bittien tallennusta ja poispyyhkimistä vaativien resistanssiarvojen hallinta on ollut hyvin vaikeaa ja vaatinut käytännössä kaksi erillistä virtalähdettä. Sharpin kehittämä kytkentätekniikka (High-Speed Unipolar Schwitching) käyttää vain yhtä virtalähdettä, joten piirin rakenne saadaan toteutettua huomattavasti aiempaa yksinkertaisempana.
Kun solurakennetta saadaan pienennettyä, pienentyy samalla myös tehonkulutus. Tallennuksen nopeus puolestaan kiihtyy monikymmenkertaiseksi nykyisiin flash-solurakenteisin verrattuna.
Sharpin kehittämä rakenne sopii lisäksi valmistettavaksi perinteisillä CMOS-tekniikoilla, mikä lisää sen houkuttelevuutta. Jatkossa yhtiö keskittyy RRAM-tutkimukseen muistin elementtien valmistustekniikoiden. RRAMin kaupallisen hyödyntämisen aikataulua yhtiö ei kuitenkaan ole halukas ennakoimaan.
