IBM tuo kolmiulotteiset piirit
IBM:n tutkijat ovat kehittäneet tekniikan, joka mahdollistaa aidosti kolmiulotteisten piirien valmistamisen. Yhtiön mukaan uusi "through-silicon via" -tekniikka pidentää Mooren lain voimassaoloa paljon aiemmin tiedettyä pidempään.
Uudessa tekniikassa aiemmin vierekkäin sijoitetut piirit asetetaan päällekkäin piikiekolla. Piirien välisiä johdotuksia ei tarvitse toteuttaa pitkillä metallijohdoilla, vaan linkit voidaan toteuttaa suoraan etsaamalla piin läpi.
Tekniikka lyhentää signaalien sirulta toiselle kulkeman matkan tuhannesosaan. Lisäksi perinteiseen 2d-rakenteeseen verrattuna uusissa 3d-rakenteissa sirujen välille voidaan toteuttaa jopa satakertainen määrä kanavia tai "signaalipolkuja".
65 nanometrin valmistusmenetelmä
IBM sanoo jo valmistavansa uudenlaisia piirejä tuotantolinjoillaan. Asiakkaille ensimmäiset näytepiirit ovat lähtemässä tämän vuoden jälkipuoliskolla ja volyymituotantoon tekniikka on tulossa jo ensi vuonna. Ensimmäiset 3d-protopiirit valmistetaan 300-millisillä kiekoilla 65 nanometrin prosessilla.
Ensimmäiseksi IBM tulee käyttämään uutta tekniikka langattomien laitteiden tehovahvistinpiirien valmistuksessa. SiGe-pohjaisissa siruissa tehokkuus paranee heti noin 40 prosenttia, mikä lisää laitteiden toiminta-aikaa akkuteholla. Myöhemmin tekniikka tulee myös PowerPC-prosessorien valmistukseen. "Through-silicon via" -tekniikka itse asiassa tekee moniytimisten suorittimien valmistamisesta selvästi aiempaa helpompaa. (Prosessori)








