Nand-kapasiteetti kolmiulotteiseen kasvuun
0
Nand-flasheissa on tähän asti lisätty kapasiteettia siirtymällä valmistusprosessissa yhä tiheämpiin rakenteisiin. Tällä tiellä ollaan pian tulossa umpikujaan, minkä takia piirienvalmistajat yrittävät kehittää uusia tapoja lisätä tiheyttä.
Toshiba on esitellyt VLSI Symposiumissa Japanissa tekniikan, joka vaikuttaa hyvin lupaavalta. Siinä tallennuskapasiteettia lisätään kolmiulotteisilla rakenteilla, joten piiri ei käytännössä vie piirikortilla juurikaan aiempaa enemmän tilaa.
Toshiban ratkaisussa pinotuista muisteista muodostetaan eräänlaisia pilareita, jotka lävistävät elektrodikerrokset. Nämä pilarit jakavat oheispiiristönsä, joten rakenne ei vie tilaa perinteisen wire bonding -tyyppisen pinoamisen tapaan.
3d-rakenteessa piin päällä on oksidikerros, jonka päällä on puolestaan nitridi-kalvo ja sen jälkeen jälleen eriste ennen piitä. Näin rakenne vastaa sonos-rakennetta (silicom-oxide-nitride-oxide-silicon), jolla muutkin flash-valmistajat yrittävät parantaa nykyisten floating gate -tyyppisten piirien kapasiteettia.
Toshiba ei ole kertonut, millä aikataululla uusi 3d-rakenne voisi olla käytössä kaupallisissa nand-siruissa. Rakenteen eliniästä tai bittien säilymisestä muistissa yhtiö ei myöskään ole kertonut mitään.
