Samsungilta nopea 16 gigatavun flash-muisti
50 nanometrin valmistustekniikalla
4.1.2007 10:53
0
0
Samsung tuo tämän vuoden alkupuolella markkinoille 16 gigatavun kapasiteetilla varustetun flash-muistin. Kyseessä on valmistajan mukaan ensimmäinen 50 nanometrin valmistustekniikalla tehty flash-muisti.
Uudet muistit on tarkoitettu kannettavien tietokoneiden kiintolevyjen korvaajiksi, muistikortteihin ja matkapuhelimiin. Samsungin mukaan uuden muistimodulin lukunopeus on kaksinkertainen ja kirjoitusnopeus puolitoistakertainen aiempiin flash-muisteihin verrattuna.
