Uusi siru hämmentää Mooren lakia
HP Labsin tutkijoiden Greg Sniderin ja Stan Williamsin (kuvassa) tutkimus julkaistaan 24. tammikuuta Nanotechnology-lehdessä.
HP kehittää teknologiaa, jolla voidaan rakentaa nykyiseen verrattuna kahdeksan kertaa tiheämpiä ja merkittävästi vähemmän energiaa kuluttavia fpga-virtapiirejä. "Mooren laki on ristiriidassa fysiikan lakien kanssa, kun perinteinen siruelektroniikka jatkaa kutistumista", tutkimukseen osallistunut Stan Williams sanoo.
HP:n tutkimuksen mukaan sirut voitaisiin lisäksi rakentaa käyttämällä samankokoisia transistoreita kuin tämän päivän fpga-suunnittelussa, joten uusien piirien valmistus vaatisi vain pieniä muutoksia nykyisiin tuotantolaitoksiin. HP kertoo valmistelevansa jo varsinaista sirua ja odottaa ensimmäisen prototyypin valmistuvan tämän vuoden aikana.
Lisää tiheyttä, vähemmän energiahukkaa ja virheitä
HP:n kehittämän uuden fpni-arkkitehtuurin (fpni, field programmable nanowire interconnect) ansiosta nanoluokan crossbar-kytkinrakenne asetetaan perinteisen cmos-piirin päälle. Uusi arkkitehtuuri on fpga-teknologian variaatio.
"Laitteiden liiallinen kuumeneminen ja virheellinen toiminta alkavat nanoluokassa. Olemme pystyneet yhdistämään hybridipiireissä perinteisen cmos-teknologian nanoluokan kytkinlaitteisiin. Näin voidaan lisätä tehokkaiden transistoreiden tiheyttä, vähentää energianhukkaa ja parantaa merkittävästi virheistä kärsivien laitteiden toleranssia," Williams uskoo.
Tutkijat uskovat vuonna 2010 olevan teknisesti mahdollista tuottaa siru, jossa 15 nanometrin crossbar-rakenne yhdistyy 45 namometrin cmos:iin. International Technology Roadmap for Siliconiin verrattuna se tarkoittaisi harppausta kolmen sukupolven yli ilman transistoreiden kutistamista.
Fpga-piireissä on ohjelmoitavia loogisia komponentteja sekä liitäntöjä, ja niitä hyödynnetään muun muassa viestintäteknologiassa, autoteollisuudessa ja kuluttajaelektroniikassa.








