Nykyiset flash-muistit tulevat tiensä päähän
0
Bertrand Camboun
Moni ihmetteli nor-flashien markkinoita hallitsevan Spansionin ilmoitusta tulla mukaan myös nand-sirujen alueelle. Spansion tavoittelee kuitenkin vain pientä osaa sulautettujen nand-flashien markkinoista uudella Ornand2-arkkitehtuurillaan.
Pääjohtaja Bertrand Camboun mukaan Spansion ei olekaan kiinnostunut nand-bulkkimarkkinoista eli mp3-soittimista, muistikorteista ja ssd-kiintolevyistä. Sen sijaan tähtäimessä ovat ennen kaikkea kännyköiden sulautetut muistit. Ja älypuhelimissa ne ovat enenevässä määrin nand-tyyppiä.
Camboun mukaan tämä muodostaakin ongelman muistivalmistajille. "Nykyiset floating gate- eli kelluvaan hilarakenteeseen perustuvat muistit eivät tule skaalautumaan alle 32 nanometriin. Ainoa mahdollinen ratkaisu on ctf-tekniikka", Cambou sanoo.
Ctf eli charge trapping flash on monella tapaa mullistava nand-rakenne. Siinä bitit tallennetaan ohueen, noin 50 Angstromin paksuiseen eristekalvoon ohjaushilan alla olevien oksidikerrosten väliin. Kelluvaan hilaan perustuvissa rakenteissa bitit tallentuvat noin 700 Angstromin paksuiseen hilaan.
Laboratoriossa jo 18 nanometriin asti
Tämän kokoeron lisäksi ctf-transistoreja on edullisempi valmistaa, eikä hilojen välillä tapahdu vuotoja, mikä merkitsee luotettavampaa toimintaa. Ja ennen kaikkea, Ctf-rakenne skaalautuu paljon nykyistä pienempään. "Olemme jo todistaneet laboratoriossa, että rakenne skaalautuu aina 18 nanometriin asti."
Kaikki nand-valmistajat kehittävät ctf-piirejä, mutta Spansionin etuna kisassa on kokemus. Se on valmistanut nor-soluja tällä rakenteella jo kymmenen vuoden ajan. Nyt tekniikka tuodaan Ornand2-siruissa myös nand-siruihin.
Ensimmäiset Ornand2-piirit ehtivät volyymituotantoon ensi vuonna 43 nanometrin prosessilla, joka perustuu immersiolitografiaan. Ensimmäisten sirujen tiheydet ovat 1, 2 ja 4 gigabittiä. (Prosessori)
