Sram-muisti kutistui ennätyspieneksi
0
IEDM-konferenssissa on jatkettu uuden mikroelektroniikan esittelyä. Toshiba, IBM ja AMD ovat esitelleet San Franciscossa sram-muistitekniikan, jossa yhden solun koko on puristettu tähän asti pienimmäksi.
Finfet-transistorirakenteeseen pohjaavan sram-solun koko on vain 0,128 neliömikronia. Aiemmin vertikaalisissa finfet-soluissa on päästy 0,247 neliömikronin solukokoon, joten uutuus on kerralla 50 prosenttia aiempia pienempi.
Kutistaakseen solun kokoa Toshiban, IBM:n ja AMD:n tutkijat joutuivat parantelemaan sekä prosessia että muistin rakennetta. Esimerkiksi transistorien pystysuorista pinnoista on poistettu metallointia.
Tutkijat ovat myös simuloineet vieläkin pienempää sram-solua. Simulointien mukaan sram-solun koko voidaan pienentää 0,063 neliömikroniin, mikä vastaa valmistusta 22 nanometrin prosessilla. Tulokset osoittavat, että moniulotteiset finfet-rakenteet tuovat selviä parannuksia sram-muistien suorituskykyyn perinteisiin planaarisiin fet-transistoreihin verrattuna.
(Prosessori)
