Tiiviimpiä ddr2-muisteja tulossa
0
Infineonista irronnut dram-valmistaja Qimonda on kehittänyt uuden tekniikan, jonka avulla dram-siruja voidaan valmistaa selvästi nykyistä pienemmiksi. Uusi tekniikka on tulossa käyttöön jo tänä vuonna gigabitin ddr2-sirujen valmistuksessa.
Qimonda kutsuu uutta tekniikka nimellä Buried Wordline dram. Siinä yhdistyvät transistorien nopeus, pieni tehonkulutus ja erittäin pieni dram-solukoko. Qimondan mukaan tekniikka skaalautuu helposti aina 30 nanometrin saakka.
Uudessa tekniikassa yhden dram-solun koko on kutistettu arvoon 4F². Tämä tarkoittaa, että solun koko on neljä kertaa käytetyn viivanleveyden (F) neliö. 65 nanometrin prosessilla solu sopii piillä alle 0,02 neliömikronin alaan.
Ensimmäisenä uudella tekniikalla tullaan valmistamaan gigabitin ddr2-muistipiirejä vielä tämän vuoden aikana. 46 nanometrin prosessiin päästään Qimondan mukaan ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.
Qimonda sanoo investoivansa tekniikan kehittämiseen yhteensä noin sata miljoonaa euroa vuosien 2009 ja 2010 aikana.
(Prosessori)
