Toshiba siirtyy 43 nanometriin
0
Japanilainen Toshiba aikoo siirtyä uuteen 43 nanometrin tuotantoprosessiin flash-muisteissa käytettävien nand-piirien valmistuksessa. Yhtiön mukaan siirtyminen uuteen tekniikkaan tapahtuu vuoden 2009 ensimmäisen neljänneksen aikana.
Toshiba on ensimmäisiä valmistajia, jotka ovat ilmoittaneet siirtymisestä kehittyneempään valmistusmenetelmään. Uusi tekniikka mahdollistaa aiempaa kustannustehokkaamman toiminnan. Edullisempi valmistustekniikka ei kuitenkaan välttämättä kasvata valmistajan liikevoittoa, sillä nand-piirien voimakkaasti laskeneet hinnat ovat pudottaneet valmistajien katteita huomattavasti.
Kustannustehokkaampi tuotantoprosessi auttaa taistelemaan valmistajia vaivannutta nand-piirien hinnanlaskua vastaan. Myös muiden valmistajien odotetaan ilmoittavan uuden tekniikan käyttöönotosta ensi vuonna.
