Intel esitteli 22 nanometrin piirejä
0
Siruvalmistaja Intelin pääjohtaja Paul Otellini on avannut kehittäjille tarkoitetun Intel Developer Forum -tapahtuman San Franciscossa, Yhdysvalloissa.
Otellini esitteli tapahtuman alussa 22 nanometrin prosessilla valmistettuja testipiirejä. Kehittynyt tekniikka saadaan Intelin mukaan tuotantokäyttöön muutaman vuoden sisällä.
Tuotantoprosessi mahdollistaa tulevaisuuden prosessorien transistorimäärän ja tehon lisäämisen. Kehitys pitää yllä niin kutsuttua Mooren lakia.
Uudella prosessilla valotettu testipiiri sisälsi Intelin mukaan sram-muistia ja loogisia piirejä. Intel on mahduttanut sormenkynnen kokoiselle alueelle 2,9 miljardia transistoria. Yhden toimivan sram-solun kooksi jää alle 0,1 neliömikronia.
Testisiruista pitkä matka tehosuorittimiin
Yksinkertaisia sram-piirejä käytetään perinteisesti uuden tuotantotekniikan testaamisessa. Toimiviin mikroprosessoreihin ja tehosuorittimien valmistukseen niistä on vielä pitkä matka.
Myös IBM ja AMD ovat tutkineet ja valmistaneet testisiruja seuraavan sukupolven tekniikalla. Valmiiden suorittimien valmistuksessa AMD on tutkimustyöstä huolimatta teknisesti Inteliä jäljessä.
