Intel ja Micron hyppäävät 25 nanometriin
0
Intel ja Micron ovat esitelleet erittäin kehittyneellä 25 nanometrin tekniikalla valotettuja nand flash -siruja. Uusi tekniikkaa mahdollistaa nykyistä suurempien ja edullisempien muistituotteiden kehityksen.
Kuluttajille tekniikan kehitys näkyy lähitulevaisuudessa entistä suurempina ja edullisempina ssd-kiintolevyinä sekä muistitikkuina- ja kortteina.
Muistipiireihin perustuvat ssd-levyt ovat teknisesti perinteisiä levyjä edistyneempiä, mutta niiden ongelmana on ollut korkea hinta sekä rajoittunut kapasiteetti.
Nand flash -muistin kapasiteetti on kehittynyt hurjasti viime vuosien aikana. Esimerkiksi Intelin ja Micronin yhteisyritys IM Flash Technologies on lanseerannut kaksi kertaa tiheämmän valmistusprosessin puolentoista vuoden välein.
Levyjä loppuvuonna
Yhtiöiden mukaan nyt esitelty 25 nanometrin prosessi on kehittynein tuotantovalmis puolijohdeprosessitekniikka. Intelin Nand ratkaisujen tuoteryhmäjohtaja Tom Ramponen mukaan nopean kehityksen taustalla ovat jatkuvat investoinnit tuotekehitykseen. Valmiita tuotteita nähdään loppuvuoden aikana.
Ensimmäisenä uuden tekniikan valmistusprosessia hyödynnetään monoliittisen kahdeksan gigatavun nand-muistin valmistuksessa. Edistyneellä prosessilla valmistettu piiristö on kooltaan vain 167 neliömillimetriä ja pituudeltaan vain muutaman sentin. Aiemmalla valmistustekniikalla samaan tilaan voitiin mahduttaa vain noin neljä gigatavua tietoa.
