Intel ja Numonyx: merkittävä askel muistitekniikassa
0
Samsung ilmoitti lokakuun alussa aloittavansa pram-sirujen tuotannon
Intel on ilmoittanut saavuttaneensa merkittävän edistysaskeleen faasimuutosmuistin kehittelyssä. Yhteistyössä Stmicroelectronicsin puolittain omistaman Numonyxin kanssa Intelin tutkijat onnistuivat pinoamaan useita pcm-matriiseja (phase change memory) päällekkäin yhdelle sirulle.
Muistivalmistajat ovat tutkineet faasinmuutosmuisteja pitkään, mutta toistaiseksi tekniikan kaupallistaminen on kaatunut teknisiin vaikeuksiin. Pram-muisti säilyttää tiedon myös ilman virtaa, mutta on toimintaperiaatteeltaan vastaavaa flash-muistia nopeampaa.
Intel ja Numonyx ovat valmistaneet useita 64 megatavun testipiirejä. Yhtiöt aikovat kertoa lisätietoja tutkimustuloksistaan joulukuun alussa järjestettävässä International Electron Devices Meeting -tapahtumassa.
Ainoa laajamittaisesti pram-muisteja valmistava yhtiö on tällä hetkellä korealainen Samsung, joka ilmoitti aloittavan pram-sirujen valmistuksen lokakuun alussa. Yhtiö ei kuitenkaan vielä ole paljastanut, milloin markkinoilla nähdään piirejä käytännön sovelluksissa.
