Samsung aloitti tiheiden ddr3-muistien valmistuksen
0
Kuva: Samsung
Eteläkorealainen elektroniikan monialayhtiö Samsung on aloittanut ensimmäisten neljän gigabitin ddr3-muistien massatuotannon 40 nanometrin tuotantotekniikalla.
Uusi, aiempaa tiheämpi valmistustekniikka mahdollistaa suurempien muistikampojen valmistuksen aiempaa taloudellisemmin. Parhaimmillaan yhdelle muistikammalle voidaan mahduttaa tuplasti aiempia malleja enemmän kapasiteettia.
Suurempi tiheys näkyy parhaiten palvelimissa, jossa yhdelle muistikammalle voidaan jatkossa mahduttaa jopa 32 gigatavua muistia.
Vihreys on päivän sana
Käyttäjälle uusi tekniikka esittäytyy myös aiempaa "vihreämpinä" muisteina. Samsungin mukaan uudet muistikammat kuluttavat energiaa jopa 35 prosenttia edeltäjiään vähemmän.
Vuoden loppuun mennessä Samsung kaavailee tuottavansa suurimman osan muistituotteistaan 40 nanometrin tekniikalla, joka esiteltiin viime vuona.
Massatuotanto seuraavan sukupolven 30 nanometrin prosessilla alkaa Samsungin suunnitelmien mukaan vuoden lopussa.
