Samsung esitteli 20 nanometrin muistikortit

Flash-piirien massatuotanto alkaa loppuvuonna
Samsung esitteli 20 nanometrin muistikortit

Korealainen Samsung on aloittanut ensimmäisten sd-muistikorteissa käytettävien nand-muistipiirien tuotannon kehittyneellä 20 nanometrin tuotantoprosessilla. Uusi tekniikka mahdollistaa aiempaa suuremmat ja edullisemmat muistikortit.

Ensimmäiset valmiit mallipiirit on toimitettu muistikorttivalmistajille. Verkkolehti Digitimesin mukaan Samsung lupaa aloittaa piirien massatuotannon myöhemmin tänä vuonna.

Uusi valmistustekniikka mahdollistaa tiedon tallentamisen aiempaa tiheämmin. Myös korttien nopeus on parempi. Samsungin muistidivisioonan toimitusjohtaja Soo-In Chon mukaan uudet piirit ovat jopa 30 prosenttia aiempia 30 nanometrin siruja nopeampia.

Kauppoihin loppuvuonna

Kaupoissa uuden tekniikan muistikortteja nähdään loppuvuoden aikana, kun piirien massatuotanto käynnistyy. Suurin myyntiin saapuva kortti on kooltaan 64 gigatavua.

Kapasiteetillaan Samsung haastaa kilpailevan Toshiban hiljattain lanseeraamat sdxc-kortit (extra capacity). Toshiban uutuuskortit vetävät kuitenkin pitemmän korren nopeudessa, sillä japanilaisvalmistaja lupaa korttien lukunopeudeksi yli 60 megatavua sekunnissa. Samsungin edullisemmat peruskortit jäävät noin 20 megatavun sekuntinopeuteen.

Tagit: 20 nm, Samsung
Lähetä Tulosta Tilaa RSS-syöte
Takaisin ylös

Lukijoiden kommentit 0 kommenttia

Kirjaudu sisään kommentoidaksesi.
Takaisin ylös
Takaisin ylös
RSS

Uutiset

TTL ry
Pieni kirjapuoti
Takaisin ylös