Samsung hyppäsi 30 nanometriin
0
Tekninen kehitys muistitekniikassa jatkuu hurjana. Eteläkorealainen Samsung on aloittanut edistyneellä 30 nanometrin valmistustekniikalla rakennettavien flash-sirujen massatuotannon.
Uudet sirut ovat kolmibittisiä, mlc-tekniikkaa käyttäviä nand flash -piirejä. Samsungin mukaan ne kasvattavat tiedon tallennustiheyttä puolella aiempiin kaksibittisiin malleihin verrattuna.
Tuotantolinjat käynnistyivät alkuviikosta, ja ensimmäiset valmistuvat piisirut käytetään kahdeksan gigatavun microsd-muistikorttien valmistukseen.
Lisää vauhtia ssd-levyihin
Samsung paljasti myös aloittaneensa 30 nanometrin tekniikalla valmistettavien 32 gigabitin ddr mlc nand -sirujen valmistuksen. Erityisnopeat piirit on suunniteltu tehokkaisiin ssd-kiintolevyihin ja muistikortteihin. Parhaimmillaan uusi tekniikka tarjoaa valmistajan mukaan 133 megabitin sekuntilukunopeuden.
Molempien sirutyyppien toimitukset oem-valmistajille ovat alkaneet. Valmiita tuotteita kauppoihin ehtii ensi vuoden alkupuolella. Käyttäjille uutuuden näkyvät entistä nopeampina ja edullisempina tuotteina.
