Toshiba aloitti 24 nanometrin muistipiirien massatuotannon
0
Elektroniikan monialayhtiö Toshiba on ilmoittanut aloittavansa NAND flash -muistien massa tuotannon kehittyneellä 24 nanometrin tuotantoprosessilla. Uusi tekniikka hyödyttää kuluttajia monin tavoin.
Ensimmäisenä uudella tekniikalla aloitettiin 64 gigabitin monikerrospiirien valmistus. Tavoitteena on laajentaa uuden tekniikan käyttö myös pienempiin 32 gigabitin piireihin.
Uusi tekniikka mahdollistaa aiempaa suuremmalla kapasiteetilla varustettujen muistipiirien valmistuksen. Kun tietoa mahtuu aiempaa enemmän samaan tilaan, voivat elektroniikkayhtiöt kasvattaa esimerkiksi musiikkisoittimiensa kapasiteettia.
Myös piirien kustannustehokkuus parantuu, kun yhdestä piikiekosta voidaan valmistaa aiempaa enemmän valmiita muistipiirejä. Kuluttajille uudistus näkyy aiempaa edullisempina hintoina.
Toshiban ilmoitus kiristää NAND flash -muistipiirien kilpailutilannetta. Aiemmin tänä vuonna myös Samsung ilmoitti aloittaneensa siruvalmistuksen 20 nanometrin luokassa. Käytännössä piirejä arvellaan valotettavan 27 nanometrin tekniikalla.
