Uusi pram-siru muistaa ilman virtaakin
0
Maailman suurimpiin muistivalmistajiin kuuluva Samsung on aloittanut uuden pram-muistin valmistuksen. Tekniikkaa on kehitelty aktiivisesti jo vuosia. Yhtiö ilmoitti valmistuksen aloituksesta viime viikolla järjestetyssä Samsung Mobile Solutions Forum -tapahtumassa.
Pram-tekniikka (phase-change ramdom access memory) on Samsungin mukaan yhtä nopeaa kuin nykyisin käytettävä dram-muisti. Ensimmäisenä yhtiö aloitti 60 nanometrin tekniikalla valmistamaan 512 megatavun piirejä.
Pramin etuna on sen kyky säilyttää tiedot myös sähkövarauksen katkettua, eli käytännössä laitteen ollessa suljettuna.
Muihin positiiviisiin ominaisuuksiin kuuluu energiatehokkuus, mikä korostuu erityisesti mobiililaitteissa. Kehittäjien mukaan uudet muistisirut tarvitsevat luku- ja kirjoitusoperaatioihin jopa viidenneksen perinteisiä piirejä vähemmän virtaa.
Samsungin odotukset pram-tekniikan suhteet ovat korkealla. Samsungin mobiilimuistisuunnittelun varajohtaja Sei-Jin Kimin mukaan pram-tekniikan muistien odotetaan muodostavan huomattavan osan yhtiön kassavirrasta tulevaisuudessa.
Pram-muistia kehitelty vuosikymmeniä
Pram-muisti ei ole ideana uusi. Tekniikkaa ideoitiin ensimmäisen kerran jo kymmeniä vuosia sitten. Esimerkiksi Intelin perustajiin kuuluva Gordon Moore kirjoitti aiheesta tieteellisen artikkelin jo vuonna 1970.
Samsung ei ole vielä paljastanut, milloin valmiita muistisiruja nähdään markkinoilla. Ensimmäiseksi uutta muistia suunnitellaan käytettäväksi älypuhelimissa ja mobiililaitteissa.
